Расчет элементов и параметров генератора. Профессиональный расчет элементов схемы генератора довольно сложен, к тому же радиолюбителям нет смысла делать такие расчеты. Далее мною предлагается вашему вниманию простейшие (прикидочные) расчеты наиболее важных элементов и параметров схемы генератора.
Сначала следует выписать на отдельный листок справочные данные по применяемому транзистору и назначить (примерно) требуемую выходную мощность генератора. Для упрощения расчета принимаем, что контур L2C6 и резистор R4 отсутствуют и что коллектор VT1 непрямую соединен с шиной питания 10В.
Лучшей проверкой правильности выбора индуктивности дросселей в генераторе является измерение в шине питания высокочастотной составляю щей напряжения при работающем генераторе.
Высокочастотной составляющей не должно быть либо она должна составлять доли вольта (обычно несколько микровольт для типичного транзисторного генератора). Если сигнале ВЧ в шине питания нет, то реактивное сопротивление достаточно вели ко. Затем нужно измерить падение напряжения на дросселе на постоянном токе. Оно также должно составлять доли вольта (микровольты).
Приведенный выше расчет элементов схемы достаточен для осмысленного выбора любого элементе из любой приведенной ниже схемы генераторов
На рис. 5 3 приведена схема генератора, выполненного на полевом транзисторе Генераторы, выполненные на базе полевых транзисторов отличаются малыми шумами и хорошей стабильностью генерируемой частоты.
На рис 5.4 и рис. 5.5 приведены схемы транзисторных генераторов, выполненных по схеме индуктивной тректочки.
По стабильности генерируемой частоты генераторы по схеме индуктивной трехточки не отличаются от генераторов, выполненных по схеме емкостной трехточки. Расчеты элементов схемы можно проводить по приведенным выше формулам. Следует учесть, что величина напряжения обратной связи в этих генераторах зависит от места отвода в контурной катушке, к которому подается обратная связь с эмиттера транзистора VT1.
Можно считать, что если отвод от контурной катушки выполнен от середины, то напряжение обратной связи равно половине выходного напряжения. При перемещении отвода к заземленному (по ВЧ) концу катушки напряжение обратной связи уменьшается. И, наоборот, при удалении отвода от заземленного конца катушки напряжение обратной связи увеличивается.
Помните, что когда мы говорим об обратной связи в схеме генератора, то имеем в виду положительную обратную связь, которая усиливает основной сигнал на входе Бывает также и отрицательная обратная связь, ослабляющая сигнал на входе. Отрицательная обратная связь часто применяется в усилителях низкой частоты для улучшения качества усиливаемого сигнала.
Две схемы генераторов.На рис. 5.6 показана электрическая принципиальная схема генератора, часто применяемая на частотах до 450 МГц.
В схеме рис. 5.6 транзистор задействован по схеме с общей базой Обратная связь осуществляется через конденсатор С1 и зависит от величины емкости этого конденсатора. На частотах порядка 400 МГц емкость С1 должна быть равна (примерно) 1...2 пФ, на более низких частотах емкость С1 должна иметь большую величину и может составлять 10...30 пФ.
На рис 5.7 показана схема еще одного простого генератора.
В этом генераторе транзистор подключен по схеме с общим коллектором. Колебательный контур располагается в цепи базы Особенностью схемы является междуэлектродная положительная обратная связь, которая всегда присутствует в транзисторах и при более высокой частоте получается довольно большая величина обратной связи.
С понижением частоты эта обратная связь уменьшается Большие неприятности междуэлектродная.
обратная связь доставляет при изготовлении усилителей высокой частоты. Если не предпринимать никаких действий по её нейтрализации, усилитель превращается в генератор, как говорят начинает возбуждаться.
Для частоты 50 МГц элементы схемы имеют следующие значения С1 = 22 пФ, С2 = 100 пФ, катушка L1 имеет 10 витков на каркасе диаметром 4 мм.
Для частоты 1500 МГц значения следующие С1 = 0,5 пФ, С2 = 3.3 пФ контур 11 выполнен в виде отрезка медного провода диаметром 1,5 мм и длиной 25 мм, который расположен параллельно основанию платы на высоте 3...4 мм.