Мощные СВЧ-транзисторы

Мощные СВЧ-транзисторы

Транзистор	Параметр
N-P-N	Iкбо при Uкб mA/В	Iэбо при Uэб mA/В	h21э ед.	Fгр. МГЦ	Ск ПФ	тк NC	Uкб max В	Uкэ max В	Uэб max В	Iк max A	Iк имп A	Iб max A	P max Вт.	Pт max Вт.
2Т904А	н/д	0,1/4	30	400	12	15	60	65	4	0,8	1,5	0,2	2	7
КТ904А	н/д	0,3/4	30	400	12	15	55	60	4	0,8	1,5	0,2	2	5
КТ904Б	н/д	0,3/4	30	400	12	20	55	60	4	0,8	1,5	0,2	2	5
2Т907А	н/д	0,25/4	10-50	400	10	15	60	65	4	1	3	0,4	2	16
КТ907А	н/д	0,35/4	10-50	400	10	15	55	60	4	1	3	0,4	2	13
КТ907Б	н/д	0,35/4	10-50	400	10	20	55	60	4	1	3	0,4	2	13
2Т909А	н/д	4/3,5	3-6,5	500	30	20	н/д	60	3,5	2	4	1	н/д	24
2Т909Б	н/д	8/3,5	3-6,5	500	60	20	н/д	60	3,5	4	8	2	н/д	42
КТ909А	н/д	6/3,5	3-6,5	500	30	20	н/д	60	3,5	2	4	1	н/д	20
КТ909Б	н/д	10/3,5	3-6,5	500	60	20	н/д	60	3,5	4	8	2	н/д	40
КТ909В	н/д	6/3,5	3-6,5	500	35	30	н/д	60	3,5	2	4	1	н/д	17
КТ909Г	н/д	10/3,5	3-6,5	500	60	30	н/д	60	3,5	4	8	2	н/д	35
2Т911А	3/28	1/3	15-40	2000	4	25	55	40	3	0,4	н/д	н/д	0,8	2,7
2Т911Б	5/28	1/3	15-40	2000	4	25	55	40	3	0,4	н/д	н/д	1	3
КТ911А	3/28	2/3	15-40	2000	4	25	55	40	3	0,4	н/д	н/д	1	3
КТ911Б	5/28	2/3	15-40	2000	4	25	55	40	3	0,4	н/д	н/д	1	3
2Т913А	н/д	1/3,5	9	1000	1	15	н/д	55	3,5	0,5	1	0,25	н/д	3
2Т913Б	н/д	1/3,5	9	1000	1	12	н/д	55	3,5	1	2	0,5	н/д	5
2Т913В	н/д	1/3,5	9	1000	1	15	н/д	55	3,5	1	2	0,5	н/д	10
КТ913А	н/д	1,5/3,5	9	1000	1	18	н/д	55	3,5	0,5	1	0,25	н/д	3
КТ913Б	н/д	1,5/3,5	9	1000	1	15	н/д	55	3,5	1	2	0,5	н/д	5
КТ913В	н/д	1,5/3,5	9	1000	1	15	н/д	55	3,5	1	2	0,5	н/д	10
2Т916А	н/д	4/3,5	35	1200	14	4	н/д	55	3,5	2	4	1	н/д	30
КТ916А	н/д	4/3,5	35	1200	14	4	н/д	55	3,5	2	4	1	н/д	30
КТ916Б	н/д	4/3,5	35	1200	14	<4	н/д	55	3,5	2	4	1	н/д	30
КТ918А	2/30	0,1/2,5	н/д	3000	4	15	30	н/д	2,5	0,25	н/д	н/д	0,5	2,5
КТ918Б	2/30	0,1/2,5	н/д	3000	4	5	30	н/д	2,5	0,25	н/д	н/д	0,5	2,5
2Т919А	10/40	2/3,5	7	2000	10	1	45	н/д	3,5	0,7	1,5	0,2	н/д	10
2Т919Б	5/40	1/3,5	8	2000	6,5	1	45	н/д	3,5	0,35	0,7	0,1	н/д	5
2Т919В	2/40	0,5/3,5	8	2000	5	1	45	н/д	3,5	0,2	0,4	0,05	н/д	3,5
КТ920А	н/д	0,5/4	>4	1300	15	20	36	36	4	0,5	н/д	0,25	н/д	5
КТ920Б	н/д	1/4	>4	1300	25	20	36	36	4	1	н/д	0,5	н/д	10
КТ920В	н/д	4/4	>4	1300	75	20	36	36	4	3	н/д	1,5	н/д	25
КТ920Г	н/д	4/4	>4	1300	75	20	36	36	4	3	н/д	1,5	н/д	25
КТ921А	н/д	20/4	>10	500	50	22	н/д	65	4	3,5	н/д	1	н/д	12,5
КТ921Б	н/д1	20/4	>10	500	50	22	н/д	65	4	3,5	н/д	1	н/д	12,5
КТ922А	н/д	0,5/4	>4	1000	15	20	н/д	65	4	0,8	н/д	н/д	н/д	8
КТ922Б	н/д	3/4	>4	1000	35	20	н/д	65	4	1,5	н/д	н/д	н/д	20
КТ922В	н/д	6/4	>4	1000	65	25	н/д	65	4	3	н/д	н/д	н/д	40
КТ922Г	н/д	4/4	>4	1000	35	20	н/д	65	4	1,5	н/д	н/д	н/д	20
КТ922Д	н/д	6/4	>4	1000	65	25	н/д	65	4	3	н/д	н/д	н/д	20
КТ925А	н/д	4/4	20	400	10	20	36	36	4	0,5	н/д	н/д	н/д	5,5
КТ925Б	н/д	8/4	30	400	20	35	36	36	4	1	н/д	н/д	н/д	11
КТ925В	н/д	10/3,5	80	400	45	40	36	36	3,5	3,3	н/д	н/д	н/д	25
КТ925Г	н/д	10/3,5	55	400	45	40	36	36	3,5	3,3	н/д	н/д	н/д	25

N-P-N	Iкэо при Uкэ mA/В	Iэбо при Uэб mA/В	h21э ед.	Fгр МГц	Ск пф	т.к. пС	Uкэ max В	Uэб max В	Iк max A	Iк имп A	Iб max A	P max Вт	Pт max Вт
2Т930А	20/50	10/4	40	450	60	8	50	4	6	н/д	н/д	7	75
2Т930Б	100/50	20/4	50	450	130	11	50	4	10	н/д	н/д	16	100
КТ930А	30/50	10/4	40	450	60	8	50	4	6	н/д	н/д	7	75
2Т934А	5/60	5/4	8	450	9	10	60	4	0,5	н/д	н/д	1	7,5
2Т934Б	10/60	5/4	8	450	17	10	60	4	1	н/д	н/д	1	15
2Т934В	20/60	5/4	8	450	32	10	60	4	2	н/д	н/д	1	30
КТ934А	7,5/60	7,5/4	8	450	9	10	60	4	0,5	н/д	н/д	1	7,5
КТ934Б	15/60	7,5/4	8	450	17	10	60	4	1	н/д	н/д	1	15
КТ934В	30/60	8/4	8	450	32	10	60	4	2	н/д	н/д	1	30
КТ934Г	15/60	7,5/4	8	450	17	10	60	4	1	н/д	н/д	1	15
КТ934Д	30/60	8/4	4	450	32	10	60	4	2	н/д	н/д	1	30
2Т937А	н/д	0,2/2,5	16	6500	5	0,6	25	2,5	0,25	н/д	н/д	0,25	3,4
2Т937Б	н/д	0,5/2,5	16	6500	5	0,6	25	2,5	0,45	н/д	н/д	0,36	7,6
КТ937А	н/д	0,2/2,5	16	6500	5	0,6	25	2,5	0,25	н/д	н/д	0,25	3,4
КТ937Б	н/д	0,5/2,5	16	6500	5	0,6	25	2,5	0,45	н/д	н/д	0,36	7,6
2Т939А	2/30	1/3,5	40-200	3000	4	5	30	3,5	0,4	н/д	н/д	н/д	4
КТ939А	2/30	1/3,5	40-200	3000	4	5	30	3,5	0,4	н/д	н/д	н/д	4
КТ939Б	2/30	1/3,5	20-116	2300	4	5	30	3,5	0,4	н/д	н/д	н/д	4
2Т942А	н/д	10/3,5	н/д	1950	17	2,5	45	3,5	1,5	3	0,5	н/д	25
2Т942Б	н/д	10/3,5	н/д	1950	17	2,5	45	3,5	1,5	3	0,5	н/д	22
КТ942В	н/д	10/3,5	н/д	1950	17	3	45	3,5	1,5	3	0,5	н/д	25
2Т946А	н/д	10/3,5	3	1600	50	н/д	50	3,5	2,5	5	1	н/д	38
КТ946А	н/д	10/3,5	3	1600	50	н/д	50	3,5	2,5	5	1	н/д	38
2Т948А	30/45	20/2	6-12	2300	22	н/д	45	2	2,5	5	1	н/д	40
2Т948Б	30/45	10/2	6-12	2300	13	н/д	45	2	1,25	2,5	0,5	н/д	20
КТ948А	35/45	35/2	6-12	2300	22	н/д	45	2	2,5	5	1	н/д	40
КТ948Б	35/45	10/2	6-12	2300	13	н/д	45	2	1,25	2,5	0,5	н/д	20
2Т962А	20/50	5/4	3-4	1000	12	9	50	4	1,5	н/д	н/д	н/д	17

н/д - нет данных

Обозначения электрических параметров транзисторов

I кбо — обратный ток коллектора (коллектор-база), в числителе , при напряжении между коллектором и базой, в знаменателе.
I эбо — обратный ток эмиттера (эмиттер-база), в числителе, при напряжении между эмиттером и базой, в знаменателе.
h21э — статический коэффициент передачи.
F гр — верхняя граничная частота.
С к — емкость коллекторного перехода.
Т к — постоянная времени цепи ОС (не более).
U кб max — максимальное допустимое напряжение между коллектором и базой.
U кэ max — максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером.
U эб max — максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой.
I к max — максимальный ток коллектора.
I к имп. — максимальный импульсный ток коллектора.
I б max — максимальный ток базы.
Р max — максимальная мощность на коллекторе без теплоотвода.
Рт max — максимальная мощность на коллекторе с теплоотводом.